Аспирантка ФТИ ИРНИТУ Алина Журавлёва провела исследования в области спинтроники в рамках стажировки в ИПЛИТ РАН

15 января 2016 года//Наука

Аспирантка Физико-технического института ИРНИТУ Алина Журавлёва прошла научную стажировку в Институте проблем лазерных и информационных технологий РАН (ИПЛИТ РАН) в Шатуре (Московская область). Август-декабрь минувшего года молодой ученый посвятила исследованиям в области спиновой электроники.

Как рассказала Алина Журавлёва, пройти стажировку в Шатуре ей удалось благодаря грантовой поддержке Российского Фонда Фундаментальных Исследований за победу в конкурсе научных проектов, выполняемых молодыми учеными под руководством кандидатов и докторов наук в научных организациях РФ. Руководил проектом в Шатуре к.ф.м.н Андрей Лотин.

В рамках стажировки она занималась изучением магнитных особенностей в тонких пленках на основе оксида цинка, легированных 3d металлами. Работу над этой тематикой А. Журавлёва начала несколько лет назад. Исследования в данной области направлены на поиск полупроводниковых материалов, обладающих ферромагнитными свойствами при комнатной температуре. Такие эффективные материалы необходимы для создания быстродействующих устройств спиновой электроники с низким энергопотреблением и тепловыделением. К ним относятся суперкомпьютеры, спиновые вентили и транзисторы, оптические системы, МRAM-память. Попытки дальнейшей миниатюризации элементов «кремниевой» электроники сталкиваются с фундаментальными физическими трудностями. Поэтому оксид цинка, как считает аспирантка, может в ближайшее время стать альтернативой кремнию.

В лаборатории наноструктур и тонких плёнок ИПЛИТ РАН А. Журавлёва синтезировала методом импульсного лазерного осаждения (ИЛО) тонкие плёнки на основе оксида цинка и исследовала их структуру, морфологию, электрические, магнитные и магнитооптические свойства.

А. Журавлёва планирует продолжить исследования на установке импульсного лазерного осаждения, которой в 2015 году была оборудована лаборатория Физико-технического института ИРНИТУ.

«Чтобы синтезировать полупроводниковые структуры и изучать их свойства, ранее мне приходилось уезжать на различные стажировки (Москва, Гонконг). Это длительный и трудоемкий процесс. Теперь у меня, как и у всех студентов и аспирантов появилась возможность проводить необходимые эксперименты на оборудовании родного вуза. Эта установка дает широкие возможности для развития направления спиновой электроники в ИРНИТУ», - поясняет А. Журавлёва.

Кроме того, в ходе стажировки А. Журавлёва провела ряд магнитных и магнитооптических измерений синтезированных материалов совместно с коллегами из МГУ им М.В. Ломоносова Николаем Перовым и Еленой Ганьшиной. Тесные научные отношения с этим учеными аспирантка установила во время стажировки в МГУ в мае 2014 года.


Также в Шатуре ей удалось посетить несколько семинаров по стереолитографии (моделирование и синтезирование объектов в 3D пространстве) и Биеннале высоких технологий в Москве.

Ольга Балабанова
Фото предоставлены Алиной Журавлёвой


Вернуться