Аспирантка ИрГТУ Алина Журавлёва выиграла конкурс на получение стипендии Президента РФ

03 марта 2015 года//Наука

Аспирантка ИрГТУ Алина Журавлёва вошла в число победителей конкурса на получение стипендии Президента РФ для молодых ученых и аспирантов, осуществляющих перспективные научные исследования и разработки по приоритетным направлениям модернизации российской экономики в 2015-2017 гг. Тема научной работы А. Журавлёвой посвящена синтезу и исследованию свойств тонких плёнок на основе разбавленных магнитных полупроводников и наногетероструктур полупроводник / ферромагнетик, полупроводник / сверхпроводник для создания новых эффективных материалов и устройств спиновой электроники. Проект входит в направление модернизации «Стратегические информационные технологии, включая вопросы создания суперкомпьютеров и разработки программного обеспечения». Из нескольких тысяч научно-исследовательских проектов, представленных на конкурс, в итоговый список победителей вошло 585, из которых 94 по данному направлению.


Президентская стипендия рассчитана на три года, в течение которых молодым ученым и аспирантам будет ежемесячно выплачиваться по 20 тыс. рублей. 


А. Журавлёва подчеркивает  актуальность  исследования свойств полупроводниковых тонких плёнок и гетероструктур.  Аспирантка активно продолжает  работать с оксидом цинка, который является новым перспективным материалом для спиновой электроники. В ближайшем будущем он может заменить кремний. Ученые предполагают, что полупроводниковые технологии, основанные на кремниевых структурах, могут достигнуть предела своих возможностей, в первую очередь, это касается быстродействия электронных систем. Поэтому уже сейчас несколько исследовательских групп в России и за рубежом  ведут поиск новых принципов создания недорогих быстродействующих устройств с низким энергопотреблением и тепловыделением. Ученые, добиваясь необходимых для практического применения свойств,  экспериментируют с  методами синтеза тонких пленок и гетероструктур на основе оксида цинка, легируют их различными элементами.


«Я использую технологию импульсного лазерного осаждения (PLD), поскольку считаю ее наиболее подходящей для напыления материала - ZnOпо сравнению с другими. Один из основных недостатков это метода до недавнего времени состоял в том, что при напылении на пленках образуются микрокапли. Поэтому  необходимо было решить  задачу по устранению  этого дефекта. В 2014 году я стажировалась в Институте  проблем лазерных и информационных технологий Российской академии наук (ИПЛИТ РАН) в Шатуре. Исследователям из этого института  удалось разработать и запатентовать сепаратор,  который не позволяет микрокаплям осаждаться на пленках и образовывать дефектную поверхность. В ходе стажировки удалось получить качественные пленки на основе оксида цинка – очень тонкие и с высоким кристаллическим совершенством.  Я привезла их для дальнейших исследований на лабораторной базе ИрГТУ.

Когда мы легируем 3d металлами полупроводниковый материал, в частности, оксид цинка, возникают уникальные свойства, например, высокотемпературный ферромагнетизм. С фундаментальной точки зрения мой проект интересен тем, что исследуются природа и причины появления ферромагнетизма в полупроводниковых структурах при температурах близких к комнатной. С прикладной точки зрения мы можем использовать синтезированные полупроводниковые структуры в спинтронике», - рассказала А. Журавлёва.


Аспирантка подчеркнула, что спинтроника - это довольно новое и быстроразвивающееся научное направление, которое строится на базе различных областей знаний и, управляя электромагнитными полями, позволяет получать особые электрические, магнитные и оптическиесвойства материалов. В основу спинтроники заложено понятие спина электрона. Cогласно принципу квантования проекции спина на выбранную ось, электроны можно разделить на два типа носителей тока: электроны со спином вверх и электроны со спином вниз (½ или -½). Управление спином полупроводниковых структур  под действием приложенных полей  позволит производить более современные транзисторы, вентили, химические сенсоры, УФ датчики, элементы солнечных батарей, а также устройства хранения и записи информации. Экспериментально изученные полупроводниковые структуры могут найти применение в приборостроении, при создании жидкокристаллических дисплеев и квантового компьютера.

Победа в конкурсе  на получение стипендии президента РФ для молодых ученых и аспирантов предполагает участие в зарубежных и отечественных научно-практических конференциях, публикации в научных журналах, входящих в международные базы данных Web of Science и Scopus, а также в изданиях ВАК. 




Вернуться